半导体器件物理与工艺

半导体器件物理与工艺
15031117
(美)A.S.格罗夫著；齐建译

TN305
科学出版社
1976-03
1976
1976
本书是关于硅平面器件工艺和物理方面的一本导论，共十二章，分三篇．第一篇共三章，介绍外延、氧化、扩散工艺的原理．第二篇共五章，介绍半导体物理的有关结论以及p-n结、结型晶体管和结型场效应晶体管的原理．第三篇共四章，讨论半导体器件生产、科研中较为重要的问题——半导体表面问题，包括表面