半导体
宽禁带半导体电子材料与器件
《宽禁带半导体电子材料与器件》,作者:沈波,唐宁 编著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030674401。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ
场助半导体光电阴极理论与实验
《场助半导体光电阴极理论与实验》,作者:李晋闽著 出版社:科学出版社 ISBN:7030039912。本书为《博士丛书》之一。内容共分八章，第一章对光电阴极的发展做了简要回顾，重点介绍了半导体光电阴极的研究进展；第二章对红外响应的场助半导体光电阴极材料结构和器件性能进行了理论分析与计算，为半导体光电阴极的设计与工作条件的选择提供必要的理论依据；第三章则根据理论计算，设计了几种结构
半导体微纳制造技术及器件
《半导体微纳制造技术及器件》,作者:云峰,李强,王晓亮 著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030661463。本书基于课题组的研究成果和研究方向，对目前主流采用的半导体微纳制造技术进行归纳，结合已得到验证的理论进行部分机理的论述，结合半导体微纳光电器件的发展现状阐述半导体微纳器件的应用及发展趋势。首先对半导体微纳器件的制造技术从图形化衬底技术、外延生长技术和刻蚀技术三方面进行系统的概述，
半导体光谱和光学性质（第三版）
《半导体光谱和光学性质（第三版）》,作者:沈学础 著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030656124。本书系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及量子点结构等的光谱和光学性质.从宏观光学常数和量子理论出发，分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、磁光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质.本书第二版总结了过去30年来国内外这
硫族半导体纳米晶的液相化学法制备、自组装及其性能研究
《硫族半导体纳米晶的液相化学法制备、自组装及其性能研究》,作者:林忠海,汪敏强著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030593238。零维纳米晶及其量子点是纳米材料研究的重要组成部分，也是纳米技术发展的重要基础。纳米晶及其量子点的可控制备[粒径可控、分布均一（即单分散）、性质稳定]是纳米材料制备的关键问题之一，因此发展新的制备方法及综合利用两种或多种不同方法的优势组合形成一种制备方法，对于纳
