半导体光谱和光学性质（第三版）
《半导体光谱和光学性质（第三版）》,作者:沈学础 著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030656124。本书系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及量子点结构等的光谱和光学性质.从宏观光学常数和量子理论出发，分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、磁光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质.本书第二版总结了过去30年来国内外这
半导体
宽禁带半导体电机驱动控制技术
《宽禁带半导体电机驱动控制技术》,作者:丁晓峰 著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030677440。本书主要介绍基于宽禁带功率器件的电机驱动控制技术的最新研究成果。首先，介绍两种典型宽禁带功率器件，即碳化硅和氮化镓功率器件的内部结构及其外部特性；接着，分析宽禁带功率器件门极驱动电路的特点和要求，介绍了串扰抑制、过流保护及高温门极驱动电路；然后，从器件特性出发分析电机驱动器输出电压非线性，
宽禁带半导体电子材料与器件
《宽禁带半导体电子材料与器件》,作者:沈波,唐宁 编著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030674401。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ
场助半导体光电阴极理论与实验
《场助半导体光电阴极理论与实验》,作者:李晋闽著 出版社:科学出版社 ISBN:7030039912。本书为《博士丛书》之一。内容共分八章，第一章对光电阴极的发展做了简要回顾，重点介绍了半导体光电阴极的研究进展；第二章对红外响应的场助半导体光电阴极材料结构和器件性能进行了理论分析与计算，为半导体光电阴极的设计与工作条件的选择提供必要的理论依据；第三章则根据理论计算，设计了几种结构
半导体微纳制造技术及器件
《半导体微纳制造技术及器件》,作者:云峰,李强,王晓亮 著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030661463。本书基于课题组的研究成果和研究方向，对目前主流采用的半导体微纳制造技术进行归纳，结合已得到验证的理论进行部分机理的论述，结合半导体微纳光电器件的发展现状阐述半导体微纳器件的应用及发展趋势。首先对半导体微纳器件的制造技术从图形化衬底技术、外延生长技术和刻蚀技术三方面进行系统的概述，
