半导体器件
半导体器件研究与进展. 二
《半导体器件研究与进展. 二》,作者:王守武 出版社:科学出版社 ISBN:7030021835。《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践． 本书是这套丛书的第二本，包括专题文章四篇，分别介绍窄禁带半导体红外探
集成电路中的现代半导体器件 : 英文版
《集成电路中的现代半导体器件 : 英文版》,作者:(美)Chenming Calvin Hu著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030326652。本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。
半导体器件物理与工艺
《半导体器件物理与工艺》,作者:(美)A.S.格罗夫著；齐建译 出版社:科学出版社 ISBN:15031117。本书是关于硅平面器件工艺和物理方面的一本导论，共十二章，分三篇．第一篇共三章，介绍外延、氧化、扩散工艺的原理．第二篇共五章，介绍半导体物理的有关结论以及p-n结、结型晶体管和结型场效应晶体管的原理．第三篇共四章，讨论半导体器件生产、科研中较为重要的问题——半导体表面问题，包括表面
半导体器件模型和工艺模型
《半导体器件模型和工艺模型》,作者:夏武颖编著 出版社:科学出版社 ISBN:15031728。本书系统地介绍了集成电路计算机辅助设计中所用的半导体器件模型和工艺模型．全书共两篇，十一章，其中半导体器件模型包括双极型晶体管、MOS及结型场效应晶体管、可控硅整流器、各种二极管的模型公式和模型参数，以及集成注入逻辑及模拟和数字电路的宏模型．工艺模型包括离子注入、杂质扩散、热氧化
半导体器件研究与进展. (三)
《半导体器件研究与进展. (三)》,作者:王守武主编 出版社:科学出版社 ISBN:7030044282。《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．本丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自己的科学实践． 本书是这套丛书的第三册，包括专题文章五篇，分别介绍分子束外延、金属有
半导体器件 : 物理与工艺
《半导体器件 : 物理与工艺》,作者:(美)施敏(S.M.Sze)著；王阳元等译 出版社:科学出版社 ISBN:7030026209。本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展，是半导体器件物理与工艺方面的入门教材．全书共十二章，可分为三个部分．第一、二章描述了半导体的基本性质及导电过程，重点介绍硅与砷化镓；第三章至第七章从构成大多数半导体器件的基本结构——p-n结开始，介绍了双极、单极、微波、
