短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征 9787030663009 王军 著 TN4 科学出版社 2020-10 2020 2020 针对短沟道MOSFET的高频噪声机理分析和模型表征,本书以不同研究阶段采用的不同方法为脉络,从新型器件研发初始阶段的仿真模拟,递进到基于物理的理论数学模型推导和基于样片测量的实验研究与半经验模型表征,揭示了短沟道器件与长沟道器件高频热噪声机理完全不同的偏置不守恒特性和频率依赖性。
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