场助半导体光电阴极理论与实验
《场助半导体光电阴极理论与实验》,作者:李晋闽著 出版社:科学出版社 ISBN:7030039912。本书为《博士丛书》之一。内容共分八章，第一章对光电阴极的发展做了简要回顾，重点介绍了半导体光电阴极的研究进展；第二章对红外响应的场助半导体光电阴极材料结构和器件性能进行了理论分析与计算，为半导体光电阴极的设计与工作条件的选择提供必要的理论依据；第三章则根据理论计算，设计了几种结构
半导体
科技时代的先锋 : 半导体面面观
《科技时代的先锋 : 半导体面面观》,作者:(日)菊地正典著；史蹟，谭毅译 出版社:科学出版社 ISBN:9787030347138。本书介绍了半导体究竟是什么，半导体有什么性质和功能、具有这些性质和功能的原因、半导体构成的集成电路是什么，半导体和集成电路有哪些种类，是什么构造，集成电路时如何制成的，半导体和集成电路在哪些领域适用，半导体技术领域的前沿等。
金属-氧化物-半导体集成电路 : 金属-氧化物-半导体大规模集成电路的理论、设计、制造和在整体中的应用
《金属-氧化物-半导体集成电路 : 金属-氧化物-半导体大规模集成电路的理论、设计、制造和在整体中的应用》,作者:不详 出版社:科学出版社 ISBN:15031143。金属-氧化物-半导体（MOS）大规模集成电路，是近十年来发展起来的一种新技术． 本书以铝栅P沟道MOS工艺为重点，对这一技术进行了比较全面的介绍．内容包括：MOS技术的优缺点及应用情况（第一章）；MOS绝缘栅场效应晶体管的原理
IGBT场效应半导体功率器件导论
《IGBT场效应半导体功率器件导论》,作者:袁寿财著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030200419。本书以新一代半导体功率器件IGBT为主线，系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识，内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺及应用等，重点讨论IGBT，同时对其他器件也作了简单介绍。
宽禁带半导体电子材料与器件
《宽禁带半导体电子材料与器件》,作者:沈波,唐宁 编著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030674401。宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿场强高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优异性质，不仅在制备短波长光电子器件方面具有不可替代性，而且是制备高功率、高频、高温射频电子器件和功率电子器件的最优选半导体体系，在信息、能源、交通、先进制造、国防军工等领域具有重大应用价值。本书系统介绍了Ⅲ
半导体纳米线功能器件
《半导体纳米线功能器件》,作者:张跃著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030605337。 《半导体纳米线功能器件》为“低维材料与器件丛书”之一。过去二十多年，半导体纳米线因其独特结构与优异性能引起了世界各国科学家的高度关注与广泛研究，半导体纳米线功能器件在不同领域都展现出巨大的前景。《半导体纳米线功能器件》基于作者多年的科研工作，并结合国内外的最新研究进展，系统介
