半导体器件物理与工艺
《半导体器件物理与工艺》,作者:(美)A.S.格罗夫著；齐建译 出版社:科学出版社 ISBN:15031117。本书是关于硅平面器件工艺和物理方面的一本导论，共十二章，分三篇．第一篇共三章，介绍外延、氧化、扩散工艺的原理．第二篇共五章，介绍半导体物理的有关结论以及p-n结、结型晶体管和结型场效应晶体管的原理．第三篇共四章，讨论半导体器件生产、科研中较为重要的问题——半导体表面问题，包括表面
半导体器件
半导体器件研究与进展. (三)
《半导体器件研究与进展. (三)》,作者:王守武主编 出版社:科学出版社 ISBN:7030044282。《半导体器件研究与进展》是专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．本丛书将陆续出版，每本包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自己的科学实践． 本书是这套丛书的第三册，包括专题文章五篇，分别介绍分子束外延、金属有
半导体器件物理 | 2版
《半导体器件物理 | 2版》,作者:孟庆巨，刘海波，孟庆辉编著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030259790。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池及光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。
半导体器件的计算机模拟方法
《半导体器件的计算机模拟方法》,作者:何 野，魏同立编著 出版社:科学出版社 ISBN:7030012933。本书系统地阐述了半导体器件的计算机模拟方法和模拟过程．全书共九章，分为三个部分．前三章介绍基本的器件模型方程及在计算机模拟中经常使用的有限差分法、有限元法和蒙特卡罗方法；第四至第七章分析了半导体PN结二极管、双极型晶体管、MOS器件，以及MESFET的模拟问题．对稳态模拟、瞬态模
半导体器件表面钝化技术
《半导体器件表面钝化技术》,作者:梁鹿亭编译 出版社:科学出版社 ISBN:15031245。半导体器件表面钝化问题对提高器件的可靠性和稳定性极为重要．本书是根据国内外书刊上已发表的有关资料编译而成．全书共分五部分：第一部分主要介绍半导体表面的基本理论、Si-SiO2系统的界面性质以及表面对器件特性的影响；第二部份到第四部份分别详细地介绍了SiO
半导体器件物理（第三版）
《半导体器件物理（第三版）》,作者:孟庆巨 主编;陈占国 副主编 出版社:科学出版社 ISBN:9787030729156。本书是普通高等教育“十一五”国家级规划教材。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导
