半导体器件

半导体器件化学

《半导体器件化学》,作者:李文郁著编 出版社:科学出版社 ISBN:130311637。本书是我社出版的《化学知识丛书》之一.从化学的角度出发,介绍半导体器件生产工艺中的基本原理. 全书共分八章.前三章扼要地介绍一些化学基本概念和基本理论,后五章重点阐述氧化、化学清洗、光刻、扩散、制去离子水以及制版等工艺中的化学过程和原理.对于其它有关的工艺原理也作

半导体器件物理 | 2版

《半导体器件物理 | 2版》,作者:孟庆巨,刘海波,孟庆辉编著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030259790。本书介绍了常用半导体器件的基本结构、工作原理、主要性能和基本工艺技术。内容包括:半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、电荷转移器件、半导体太阳电池及光电二极管、发光二极管和半导体激光器等。

半导体器件研究与进展. (三)

《半导体器件研究与进展. (三)》,作者:王守武主编 出版社:科学出版社 ISBN:7030044282。《半导体器件研究与进展》是专题丛书,其内容介于专著与学术论文之间.本丛书将陆续出版,每本包含专题文章四至六篇,每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述,其中也包括作者自己的科学实践. 本书是这套丛书的第三册,包括专题文章五篇,分别介绍分子束外延、金属有

体效应半导体器件

《体效应半导体器件》,作者:(日)片冈照荣,馆野博著;钟治澄,魏任民译 出版社:科学出版社 ISBN:1503171。砷化镓体效应半导体器件是一种新型的半导体器件.它是基于N型砷化镓等化合物半导体材料在高电场下呈现负微分迁移率而制成的.因它属于体内效应、与一般P-N结器件不同,所以称为“体效应半导体器件”.目前,国外正在大力进行研制. 本书对体效应半导体器件的基本原理、器件工艺、

半导体器件及电路的可靠性与退化

《半导体器件及电路的可靠性与退化》,作者:(英)豪斯(M.J.Howes),(英)摩根(D.V.Morgan)主编;李锦林等译 出版社:科学出版社 ISBN:7030011643。本书阐述了用硅、砷化镓及磷化铟等材料制作的双极型晶体管、场效应晶体管、发光二极管、半导体激光器,以及微波集成电路等各种半导体器件及电路的可靠性和退化问题,并且综述了半导体材料和器件的失效机理(其中包括金属间的固态扩散、电

半导体器件物理

《半导体器件物理》,作者:孟庆巨,刘海波,孟庆辉编著 出版社:科学出版社 ISBN:7030139518。本书介绍了半导体器件的基本结构、主要工艺和物理原理,内容包括半导体物理基础、PN结、金属-半导体结、结型场效应晶体管等。

集成电路中的现代半导体器件 : 英文版

《集成电路中的现代半导体器件 : 英文版》,作者:(美)Chenming Calvin Hu著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030326652。本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理,包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管(BJT),同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。

半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用

《半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用》,作者:袁益让,刘藴贤 著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030519009。半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性,获取有效数据,是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。本书主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法,半导体问题的区域分裂

半导体器件物理

《半导体器件物理》,作者:王家骅 出版社:科学出版社 ISBN:130312408。本书阐述半导体器件的物理基础、工作原理和特性.书中对变容二极管、PIN二极管、隧道二极管、雪崩二极管、金属-半导体界面器件、绝缘栅场效应器件、电荷耦合器件、太阳电池、光电探测器、发光二极管、半导体激光器、体效应器件等的概念、原理和特性等作了比较系统深入的分析.在分析中主要着重于把