硅半导体器件辐射效应及加固技术
《硅半导体器件辐射效应及加固技术》,作者:刘文平著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030387028。本书介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，内容包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效
器件
微波铁氧体器件HFSS设计原理 | 上册
《微波铁氧体器件HFSS设计原理 | 上册》,作者:蒋仁培，宋淑平著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030462251。本书将全新的穿越方程和高频电磁场结构仿真软件(HFSS)相结合，对各类微波铁氧体器件进行了仿真设计。列举了各种结构的环行器、隔离器的设计范例，探索了获得高性能、高稳定性和高可靠性的设计途径，对其非互易性应用穿越方程进行了深入探讨；对各类变场器件如移相器、开关进行了仿真
碳纳米管与石墨烯器件物理
《碳纳米管与石墨烯器件物理》,作者:(美)H.-S.菲利普·黄，(美)德基·阿金旺德著；郭雪峰，张洪涛译 出版社:科学出版社 ISBN:9787030390554。本书共9章，内容包括：碳纳米管概论、石墨烯、碳纳米管、碳纳米管的平衡态性质、碳纳米管互连、碳纳米管场效应晶体管、碳纳米管应用等。
微波铁氧体器件HFSS设计原理. 下册
《微波铁氧体器件HFSS设计原理. 下册》,作者:蒋仁培，宋淑平 出版社:科学出版社 ISBN:9787030462268。本书将全新的穿越方程和高频电磁场结构仿真软件相结合，对各类微波铁氧体器件进行了仿真设计。列举了各种结构的环形器、隔离器的设计范例等。
液晶器件基础（原书第二版）
《液晶器件基础（原书第二版）》,作者:（美）杨登科（Yang D. K.）,（美）吴诗聪（Wu S. T.）,郭太良等 出版社:科学出版社 ISBN:9787030479358。本书第 1 章至第 7 章介绍液晶材料基础以及液晶器件研究和设计的必备技术，包括：液晶物理基础，光在各向异性光学介质中的传播，光学建模方法，液晶的电场效应，弗里德里克斯转变，液晶材料和液晶指向矢排布建模。第 8 章至第 1
半导体器件研究与进展. 第一册
《半导体器件研究与进展. 第一册》,作者:不详 出版社:科学出版社 ISBN:7030006070。《半导体器件研究与进展》是一套专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书由我国著名半导体专家王守武主编，并约请半导体器件专家为其撰稿．该丛书将分册陆续出版，每册包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践．
半导体器件模型和工艺模型
《半导体器件模型和工艺模型》,作者:夏武颖编著 出版社:科学出版社 ISBN:15031728。本书系统地介绍了集成电路计算机辅助设计中所用的半导体器件模型和工艺模型．全书共两篇，十一章，其中半导体器件模型包括双极型晶体管、MOS及结型场效应晶体管、可控硅整流器、各种二极管的模型公式和模型参数，以及集成注入逻辑及模拟和数字电路的宏模型．工艺模型包括离子注入、杂质扩散、热氧化
