半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用
《半导体器件数值模拟计算方法的理论和应用》,作者:袁益让,刘藴贤 著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030519009。半导体器件数值模拟计算方法是现代计算数学和工业与应用数学的重要领域。半导体器件数值模拟是用电子计算机模拟半导体器件内部重要的物理特性，获取有效数据，是设计和研制新型半导体器件结构的有效工具。本书主要内容包括半导体器件数值模拟的有限元方法、有限差分方法，半导体问题的区域分裂
半导体器件
硅半导体器件辐射效应及加固技术
《硅半导体器件辐射效应及加固技术》,作者:刘文平著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030387028。本书介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，内容包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效
半导体器件研究与进展. 第一册
《半导体器件研究与进展. 第一册》,作者:不详 出版社:科学出版社 ISBN:7030006070。《半导体器件研究与进展》是一套专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书由我国著名半导体专家王守武主编，并约请半导体器件专家为其撰稿．该丛书将分册陆续出版，每册包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践．
半导体器件模型和工艺模型
《半导体器件模型和工艺模型》,作者:夏武颖编著 出版社:科学出版社 ISBN:15031728。本书系统地介绍了集成电路计算机辅助设计中所用的半导体器件模型和工艺模型．全书共两篇，十一章，其中半导体器件模型包括双极型晶体管、MOS及结型场效应晶体管、可控硅整流器、各种二极管的模型公式和模型参数，以及集成注入逻辑及模拟和数字电路的宏模型．工艺模型包括离子注入、杂质扩散、热氧化
半导体器件原理简明教程
《半导体器件原理简明教程》,作者:傅兴华[等]编著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030284204。本书介绍了典型半导体器件的核心知识。包括半导体物理基础、pn结、双极型晶体管、场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件等内容。
