硅半导体器件辐射效应及加固技术
《硅半导体器件辐射效应及加固技术》,作者:刘文平著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030387028。本书介绍了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，内容包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子辐射效
半导体器件
集成电路中的现代半导体器件 : 英文版
《集成电路中的现代半导体器件 : 英文版》,作者:(美)Chenming Calvin Hu著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030326652。本书主要介绍与集成电路相关的几种主流半导体器件的基本原理，包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管（BJT），同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。
半导体器件模型和工艺模型
《半导体器件模型和工艺模型》,作者:夏武颖编著 出版社:科学出版社 ISBN:15031728。本书系统地介绍了集成电路计算机辅助设计中所用的半导体器件模型和工艺模型．全书共两篇，十一章，其中半导体器件模型包括双极型晶体管、MOS及结型场效应晶体管、可控硅整流器、各种二极管的模型公式和模型参数，以及集成注入逻辑及模拟和数字电路的宏模型．工艺模型包括离子注入、杂质扩散、热氧化
半导体器件及电路的可靠性与退化
《半导体器件及电路的可靠性与退化》,作者:(英)豪斯(M.J.Howes)，(英)摩根(D.V.Morgan)主编；李锦林等译 出版社:科学出版社 ISBN:7030011643。本书阐述了用硅、砷化镓及磷化铟等材料制作的双极型晶体管、场效应晶体管、发光二极管、半导体激光器，以及微波集成电路等各种半导体器件及电路的可靠性和退化问题，并且综述了半导体材料和器件的失效机理（其中包括金属间的固态扩散、电
半导体器件的计算机模拟方法
《半导体器件的计算机模拟方法》,作者:何 野，魏同立编著 出版社:科学出版社 ISBN:7030012933。本书系统地阐述了半导体器件的计算机模拟方法和模拟过程．全书共九章，分为三个部分．前三章介绍基本的器件模型方程及在计算机模拟中经常使用的有限差分法、有限元法和蒙特卡罗方法；第四至第七章分析了半导体PN结二极管、双极型晶体管、MOS器件，以及MESFET的模拟问题．对稳态模拟、瞬态模
半导体器件 : 物理与工艺
《半导体器件 : 物理与工艺》,作者:(美)施敏(S.M.Sze)著；王阳元等译 出版社:科学出版社 ISBN:7030026209。本书介绍了半导体器件物理与制造工艺的最新进展，是半导体器件物理与工艺方面的入门教材．全书共十二章，可分为三个部分．第一、二章描述了半导体的基本性质及导电过程，重点介绍硅与砷化镓；第三章至第七章从构成大多数半导体器件的基本结构——p-n结开始，介绍了双极、单极、微波、
半导体器件物理学习与考研指导
《半导体器件物理学习与考研指导》,作者:孟庆巨，孙彦峰编著 出版社:科学出版社 ISBN:9787030267399。本书内容包括半导体物理基础、PN结、双级结型晶体管、金属-半导体结、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管等。
半导体器件研究与进展. 第一册
《半导体器件研究与进展. 第一册》,作者:不详 出版社:科学出版社 ISBN:7030006070。《半导体器件研究与进展》是一套专题丛书，其内容介于专著与学术论文之间．该丛书由我国著名半导体专家王守武主编，并约请半导体器件专家为其撰稿．该丛书将分册陆续出版，每册包含专题文章四至六篇，每篇文章都将针对某类半导体器件或某一专题进行全面论述，其中也包括作者自身的科学实践．
